60N06
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 0.9420 CNY 0.8478 CNY 0.8101 CNY 0.7536 CNY 0.7222 CNY 0.7096 CNY 0.6845 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: -
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 60A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 14 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -
Vgs(最大值): 81nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3220pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.4W(Ta),150W(Tj)
工作温度: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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