SIRA12BDP-T1-GE3
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 1.4190 CNY 1.2771 CNY 1.2203 CNY 1.1352 CNY 1.0879 CNY 1.0690 CNY 1.0311 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: TrenchFET® Gen IV
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 27A(Ta),60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.3 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V @ 250µA
Vgs(最大值): +20V,-16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1470pF @ 15V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 5W(Ta),38W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: PowerPAK® SO-8
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