CSD18510Q5B
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 12.8772 CNY 11.5895 CNY 11.0744 CNY 10.3018 CNY 9.8725 CNY 9.7008 CNY 9.3574 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: NexFET™
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 300A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 0.96 毫欧 @ 32A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V @ 250µA
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 11400pF @ 20V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 156W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
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