IXFA7N100P
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 57.3153 CNY 51.5838 CNY 49.2912 CNY 45.8522 CNY 43.9417 CNY 43.1775 CNY 41.6491 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: HiPerFET™,PolarP2™
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 1000V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.9 欧姆 @ 3.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6V @ 1mA
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2590pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 300W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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