SQJ446EP-T1_GE3
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 6.1200 CNY 5.5080 CNY 5.2632 CNY 4.8960 CNY 4.6920 CNY 4.6104 CNY 4.4472 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5 毫欧 @ 14A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4220pF @ 20V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 46W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: PowerPAK® SO-8
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