CSD19537Q3T
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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CNY 7.4088 CNY 6.6679 CNY 6.3716 CNY 5.9270 CNY 5.6801 CNY 5.5813 CNY 5.3837 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: NexFET™
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 14.5 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.6V @ 250µA
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1680pF @ 50V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.8W(Ta), 83W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerVDFN
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