NTA4151PT1G
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 0.2231 CNY 0.2008 CNY 0.1919 CNY 0.1785 CNY 0.1711 CNY 0.1681 CNY 0.1622 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: -
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 760mA(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 360 毫欧 @ 350mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 450mV @ 250µA
Vgs(最大值): ±6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 156pF @ 5V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 301mW(Tj)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-75,SOT-416
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