NVBG080N120SC1
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 134.7300 CNY 121.2570 CNY 115.8678 CNY 107.7840 CNY 103.2930 CNY 101.4966 CNY 97.9038 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: 汽车级,AEC-Q101
FET 类型: N 通道
技术: SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss): 1200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 110 毫欧 @ 20A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.3V @ 5mA
Vgs(最大值): +25V,-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1154pF @ 800V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 179W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA
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