SISS30DN-T1-GE3
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 8.3937 CNY 7.5543 CNY 7.2186 CNY 6.7150 CNY 6.4352 CNY 6.3233 CNY 6.0994 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: TrenchFET® Gen IV
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 80V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15,9A(Ta), 54,7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 7.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8,25 毫欧 @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.8V @ 250µA
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1666pF @ 10V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 4.8W(Ta),57W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: PowerPAK® 1212-8S
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