AONS32314
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 1.2825 CNY 1.1543 CNY 1.1030 CNY 1.0260 CNY 0.9833 CNY 0.9662 CNY 0.9320 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: -
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 24A(Ta),50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 800pF @ 15V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 6.2W(Ta),26W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerVDFN
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