BSC070N10NS3G
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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10+ 100+ 500+ 1000+ 2000+ 2500+ 5000+ |
CNY 4.8069 CNY 4.3262 CNY 4.1339 CNY 3.8455 CNY 3.6853 CNY 3.6212 CNY 3.4930 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: OptiMOS™
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 75µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4000pF @ 50V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 114W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
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