IXTQ182N055T
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: TrenchMV™
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 55V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 182A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4850pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 360W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
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