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IPD50N03S207ATMA1

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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

系列: OptiMOS™

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.3 毫欧 @ 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 85µA

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2000pF @ 25V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 136W(Tc)

工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

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