XR46000ESETR
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 0.9777 CNY 0.8799 CNY 0.8408 CNY 0.7822 CNY 0.7496 CNY 0.7365 CNY 0.7105 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: -
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 欧姆 @ 750mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 170pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 20W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
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