BSC0924NDI
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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5+ 50+ 250+ 500+ 1000+ 1250+ 2500+ |
CNY 2.4255 CNY 2.1830 CNY 2.0859 CNY 1.9404 CNY 1.8596 CNY 1.8272 CNY 1.7625 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: OptiMOS™
FET 类型: 2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能: 逻辑电平栅极,4.5V 驱动
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A,32A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1160pF @ 15V
功率 - 最大值: 1W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TISON-8
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