BSZ15DC02KDHXTMA1
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 8.2761 CNY 7.4485 CNY 7.1174 CNY 6.6209 CNY 6.3450 CNY 6.2347 CNY 6.0140 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: 汽车级,AEC-Q101,HEXFET®
FET 类型: N 和 P 沟道互补型
FET 功能: 逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.1A, 3.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 55 毫欧 @ 5.1A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.4V @ 110µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 419pF @ 10V
功率 - 最大值: 2.5W
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TSDSON-8-FL
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