TPS1120DR
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 17.1402 CNY 15.4262 CNY 14.7406 CNY 13.7122 CNY 13.1408 CNY 12.9123 CNY 12.4552 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: -
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 15V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.17A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 180 毫欧 @ 1.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 250µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
功率 - 最大值: 840mW
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
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