FDC6321C
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 1.3052 CNY 1.1746 CNY 1.1224 CNY 1.0441 CNY 1.0006 CNY 0.9832 CNY 0.9484 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: -
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 680mA,460mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 450 毫欧 @ 500mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 250µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50pF @ 10V
功率 - 最大值: 700mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SuperSOT™-6
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