BSO612CV
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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5+ 50+ 250+ 500+ 1000+ 1250+ 2500+ |
CNY 1.1412 CNY 1.0271 CNY 0.9814 CNY 0.9130 CNY 0.8749 CNY 0.8597 CNY 0.8293 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: SIPMOS®
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A,2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 120 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 20µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 340pF @ 25V
功率 - 最大值: 2W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: P-DSO-8
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