IXBT2N250
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 140.8050 CNY 126.7245 CNY 121.0923 CNY 112.6440 CNY 107.9505 CNY 106.0731 CNY 102.3183 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: BIMOSFET™
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿(最大值): 2500V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 5A
功率 - 最大值: 32W
开关能量: -
输入类型: 标准
栅极电荷: 10.6nC
25°C 时 Td(开/关)值: -
测试条件: -
反向恢复时间 (trr): 920ns
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
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