IXBH42N170
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 191.8938 CNY 172.7044 CNY 165.0287 CNY 153.5150 CNY 147.1186 CNY 144.5600 CNY 139.4428 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: BIMOSFET™
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿(最大值): 1700V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80A
功率 - 最大值: 360W
开关能量: -
输入类型: 标准
栅极电荷: 188nC
25°C 时 Td(开/关)值: -
测试条件: -
反向恢复时间 (trr): 1.32µs
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
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