MJD31C1G
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 1.3376 CNY 1.2038 CNY 1.1503 CNY 1.0700 CNY 1.0255 CNY 1.0076 CNY 0.9720 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: -
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3A
电压 - 集射极击穿(最大值): 100V
电流 - 集电极截止(最大值): 50µA
功率 - 最大值: 1.56W
频率 - 跃迁: 3MHz
工作温度: -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: I-PAK
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): -
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): -
产品属性 | 属性值 | 搜索类似 |
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ON Semiconductor | ||
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) | ||
RoHS: | 详细信息 | |
Through Hole | ||
IPAK-3 | ||
NPN | ||
Single | ||
100 V | ||
100 V | ||
5 V | ||
1.2 V | ||
3 A | ||
1.56 W | ||
3 MHz | ||
- 65 C | ||
+ 150 C | ||
MJD31C | ||
Tube | ||
高度: | 2.38 mm | |
长度: | 6.73 mm | |
技术: | Si | |
宽度: | 6.22 mm | |
商标: | ON Semiconductor | |
集电极连续电流: | 3 A | |
直流集电极/Base Gain hfe Min: | 25 | |
产品类型: | BJTs - Bipolar Transistors | |
工厂包装数量: | 75 | |
子类别: | Transistors | |
单位重量: | 4 g |
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