FF200R12KT4
起购量 | 价格(含13%增值税) |
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1+ 10+ 50+ 150+ 500+ 1000+ 2500+ |
CNY 581.8260 CNY 523.6434 CNY 500.3704 CNY 465.4608 CNY 446.0666 CNY 438.3089 CNY 422.7936 |
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*产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
系列: C
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 半桥
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 320A
功率 - 最大值: 1100W
电流 - 集电极截止(最大值): 5mA
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 无
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
供应商器件封装: 模块
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): -
不同 Vce 时输入电容 (Cies): -
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