*产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

系列： -

FET 类型： P 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 40V

漏源电压（Vdss）： 40V

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 1mA @ 15V

漏极电流 (Id) - 最大值： 1mA @ 15V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 750mV @ 1µA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7pF @ 15V

电阻 - RDS(On)： 7pF @ 15V

功率 - 最大值： 350mW

工作温度： -65°C ~ 135°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-92-3